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更新時間:2024-11-20
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偏光(污漬、薄膜不均勻性)
坡度(劃痕、表面形貌)
反射率(內應力、條紋)
暗場(顆粒、夾雜物)
1.透明基底上的缺陷
2.單層污漬或薄膜不均勻性
3.化合物半導體的晶體缺陷
在化合物半導體基底和外延生長層上檢測和分類多種類型的晶體缺陷
缺陷類型
薄厚基板
透明和不透明基板
電介質涂層
金屬涂層
鍵合硅片
開發和在線生產
AT1 軟件使用來自多個探測器任意組合的數據生成缺陷圖和報告:
地圖和位置
缺陷數量
彩色編碼缺陷
缺陷尺寸